三、下圖所示電路中之 NMOS 與 PMOS 電晶體為完全匹配，即kn ′ (W
n / L
n)＝k′
p (W
p / L
p) ＝1 mA/V
2且 V
tn＝
-V
tp＝1V，其中k ′ n(k ′p )、W
n (W
p)、Ln (L
p)及 V
tn (V
tp)分別表示 NMOS (PMOS)電晶體之製程轉導參數（process transconductance parameter）、通道 寬度、通道長度及臨限電壓（threshold voltage）；假設忽略通道長度調變（channel length modulation）效應，試求：
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