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申論題資訊

試卷:106年 - 106 公務升官等考試_簡任_電子工程、電信工程:高等電子電路學研究(包括類比與數位)#66349
科目:高等電子電路學
年份:106年
排序:0

題組內容

二、如圖(二)為 CMOS 差動放大器電路,IQ = 0.2 mA。PMOS 電晶體 M1及 M2的參數 為:Kp = 0.5μpCox(W/L)p = 0.1 mA/V2 、λp = 0.015 V-1、VTP = -1 V。NMOS 電晶體 M3 及 M4的參數為:Kn = 0.5μnCox(W/L)n = 0.1 mA/V2 、λn = 0.01 V-1、VTN = 1 V。試求:phpIq9Ihe

申論題內容

⑵開路差動模式之電壓增益(open-circuit differential-mode voltage gain)?(10 分)