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100年 - 100 專技高考_專利師：電子學#45490
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申論題
試卷：100年 - 100 專技高考_專利師：電子學#45490
科目：電子學
年份：100年
排序：0
申論題資訊
試卷：
100年 - 100 專技高考_專利師：電子學#45490
科目：
電子學
年份：
100年
排序：
0
題組內容
二、於圖二中，2 個NMOS的電晶體Q
1
及Q
2
之臨界電壓皆為 0.6V，其中電晶體Q
1
及Q
2
的 電子移動率與氧化層電容乘積皆為μ
n
C
ox
=200μA/V
2
，而Q
1
及Q
2
的閘極寬度與閘極長 度的比值各別為(W/L)
1
=5 與(W/L)
2
=6.25，忽略短通道長度調變效應（λ=0），試求當 I
D1
=80 μA時，
申論題內容
⑵電晶體Q
2
的汲極電壓V
D2
=？（20 分）
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