一、設一矽二極體 pn 接面之摻雜濃度與摻雜濃度且本質濃度，試求於T= 300 K 時之內建電壓V0、空乏區寬度Wdep與空乏區在 p 側及 n 側之延伸寬度。（25 分）

三、如下圖(a)電路 Q 為理想開關，下圖(b)為控制 Q 之週期電壓。當時，Q 短路； = 0 時，Q 開路，為 Q 兩端電壓。L = 25 mH，R = 0.5 Ω， = 5 V，E = 10 V。定義時間常數τ = L/R，請算 0 ≤ t ≤ 1 ms 之間電流時間函數 iL(t)。計算時使用以下近似，若|x| ＜＜ 1， ≈ 1 – x，(1 – x)2 ≈1 – 2x。