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106年 - 106 鐵路特種考試_高員三級_電子工程:半導體工程#62477
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申論題
試卷:106年 - 106 鐵路特種考試_高員三級_電子工程:半導體工程#62477
科目:半導體工程
年份:106年
排序:0
申論題資訊
試卷:
106年 - 106 鐵路特種考試_高員三級_電子工程:半導體工程#62477
科目:
半導體工程
年份:
106年
排序:
0
申論題內容
二、對一純矽塊樣本,由一邊摻雜施體(donor),其濃度分布為 N
D
= N
o
exp(-ax),N
D
>> n
i
, 在平衡狀態下,推演內建電場 E(x)。若 a = 1 μm
-1
,計算內建電場 E(x)。(n
i
為矽之本 質濃度)。(20 分)