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積體電路技術
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98年 - 98 公務升官等考試_簡任_電子工程:積體電路技術研究#47715
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二、試繪出 SoI(silicon-on-insulator)CMOS 元件的基本結構,並說明其重要特性。 (20 分)
其他申論題
⑵若已知每天收到電子郵件數為常態分配,試求每天收到電子郵件數介於 10 與 70 之間的機率。
#164506
⑴樣本數為 4。
#164507
⑵樣本數為 5。
#164508
一、何謂 silicide?何謂 salicide?試繪圖說明形成 silicide 的重要步驟。(20 分)
#164509
三、何謂 triple-well 技術?試繪剖面圖(cross-sectional view)說明 triple-well 的結構。 (20 分)
#164511
四、何謂 reticle?與傳統的 mask 比較下,它具有何重要特性?(20 分)
#164512
⑴ Ion channeling effect
#164513
⑵ MEMS(microelectromechanical system)
#164514
⑶ OPC(optical proximity correction)
#164515
⑷ SiGe-Base transistor
#164516