四、考慮如圖 2 之金氧半電晶體（NMOS）電路（忽略通道長度調變效應， 即λ = 0），其電路參數：VDD = -VSS = 2.5 V、Vt= 1 V、μn Cox = 60 μA/V2 、 W/L = 120 μm/ 3 μm。為使電晶體操作在 ID = 0.3 mA、VD = +0.4 V 時， 試計算所需 RD及 RS之電阻值。（20 分）
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