申論題 - 阿摩線上測驗

申論題資訊

試卷：99年 - 99 專技高考_電子工程技師：電子學#46567
科目：電子學
年份：99年
排序：6

題組內容

五、利用pseudo-NMOS製作CMOS反相器的技術中，其中電子移動率與氧化層電容乘積 μ_nC_ox＝115 μA/V²，電洞移動率與氧化層電容乘積μ_pC_ox＝30 μA/V²，NMOS及PMOS 元件之臨界電壓分別為 0.4V及-0.4V，並且NMOS與PMOS的閘極寬度與閘極長度的比值各別為(W/L)_n＝1.5 與(W/L)_p＝0.64，反相器之等效電容值為 7fF，V_DD＝2.5V

申論題內容

。⑴靜態消耗功率P_D為何？及