1. 如下圖所示之電路，電晶體 \(Q_{1}, Q_{2}\) 特性一樣，其中 \(\\beta_{1} = \\beta_{2} = \\beta\)，\(I_{B1} = I_{B2} = I_{B}\)，試證明 \(\\frac{I_{O}}{I_{ref}} = \\frac{1}{1 + \\frac{2}{\\beta}}\)。

7. 如下圖所示之疊接放大電路， \(R_{S} = 300 \Omega\) ， \(R_{D} = 2.7 \mathrm{k} \Omega\) ， \(R_{G1} = R_{G2} = 3 \mathrm{M} \Omega\) ， \(R_{G3} = 4.7 \mathrm{M} \Omega\) 。已知 MOSFET 均操作於飽和區且 \(Q_{1}\) 之轉移電導 \(g_{m1} = 25 \mathrm{~mA} / \mathrm{V}\) ， \(Q_{2}\) 之轉移電導 \(g_{m2} = 30 \mathrm{~mA} / \mathrm{V}\) ，汲極交流電阻 \(r_{d}\) 均忽略不計，則(1)由 \(V_{i}\) 看入之輸入阻抗為(12) 1.5MΩ (2)電壓增益 \(V_{O} / V_{i}\) 為(13) -67.5。

1. 如下圖所示之電路，電晶體 \(Q_{1}, Q_{2}\) 特性一樣，其中 \(\\beta_{1} = \\beta_{2} = \\beta\)，\(I_{B1} = I_{B2} = I_{B}\)，試證明 \(\\frac{I_{O}}{I_{ref}} = \\frac{1}{1 + \\frac{2}{\\beta}}\)。

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