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最新科目
都市及區域政策
科目:
都市及區域政策
分類ID:
1791
環境規劃與都市設計
科目:
環境規劃與都市設計
分類ID:
1792
土地使用計劃
科目:
土地使用計劃
分類ID:
1793
最新試卷
101年 - 101年高等三級暨普通考高考三級_工業安全#26204
科目:
工業衛生概論
年份:
101年
題數:
5 題
101年 - 101 地方政府特種考試_四等_經建行政:國際經濟學概要#26205
科目:
國際經濟學
年份:
101年
題數:
7 題
101年 - 101 原住民族特種考試_四等_衛生行政:流行病學概要#26206
科目:
普考/四等◆流行病學概要
年份:
101年
題數:
13 題
最新試題
試題
試卷:
114年 - 16800 輸電地下電纜裝修 乙級 工作項目 01:裝修知識 201-247(2025/12/26 更新)#135738
科目:
技檢◆輸電地下電纜裝修-乙級
內容:
複選題226. 電流通過導體時,其所生的熱量與下列何者之乘積成正比? (A)電流之平方 (B)電壓之平方 (C)導體...
試題
試卷:
114年 - 16800 輸電地下電纜裝修 乙級 工作項目 01:裝修知識 201-247(2025/12/26 更新)#135738
科目:
技檢◆輸電地下電纜裝修-乙級
內容:
複選題227. 有關變壓器效率公式,下列敘述何者正確? (A)(輸入-損失)/輸入×100% (B)輸出/輸入&time...
試題
試卷:
114年 - 16800 輸電地下電纜裝修 乙級 工作項目 01:裝修知識 201-247(2025/12/26 更新)#135738
科目:
技檢◆輸電地下電纜裝修-乙級
內容:
複選題228. 有關克希荷夫定律,下列敘述何者正確? (A)在一網目中電壓升與電壓降之總合為零 (B)任一時刻,...
最新申論題
申論題
試卷:
114年 - 114 地方政府公務特種考試_三等_電子工程:半導體工程#134688
科目:
半導體工程
題組:
四、
內容:
(一)請說明為何金氧半場效電晶體(MOSFET)的長通道與短通道元件之臨界電壓會有所不同。(8 分)
申論題
試卷:
114年 - 114 地方政府公務特種考試_三等_電子工程:半導體工程#134688
科目:
半導體工程
題組:
四、
內容:
(二)如何從汲/源極設計的角度來抑制短通道效應?並說明此方法可能導致的副作用。(12 分)
申論題
試卷:
114年 - 114 地方政府公務特種考試_三等_電子工程:半導體工程#134688
科目:
半導體工程
內容:
五、隨著技術節點持續微縮,曝光技術亦不斷演進。請說明自曝光波長λ=248 nm KrF 以降,至鰭式場效電晶體(F...
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陳耘得
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