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半導體工程
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114年 - 114 地方政府公務特種考試_三等_電子工程：半導體工程#134688
> 申論題
題組內容
四、
(一)請說明為何金氧半場效電晶體（MOSFET）的長通道與短通道元件之臨界電壓會有所不同。（8 分）
相關申論題
(一)能帶理論中，那一個參數可作為區分導體、半導體與絕緣體的依據？ （5 分）
#560342
(二)該參數以何數值作為區分半導體與絕緣體的界限？（5 分）
#560343
(三)請以能帶結構的角度說明導體、半導體與絕緣體之差異。 （10 分）
#560344
(一)在半導體晶格中，載子具有那二種主要的傳輸機制？（4 分）
#560345
(二)一個實際的矽 p – n 接面二極體在順偏導通狀態下，有那些電流成分？ （8 分）
#560346
(三)請說明各電流形成之機制。（8 分）
#560347
(一)在 t =0 秒時，多數載子和少數載子的濃度各為多少？（10 分）
#560348
(二)請計算 t =0 秒時準費米能階相對於本質費米能階的能量差，並在能帶圖上標示出來。（10 分）
#560349
(二)如何從汲/源極設計的角度來抑制短通道效應？並說明此方法可能導致的副作用。（12 分）
#560351
五、隨著技術節點持續微縮，曝光技術亦不斷演進。請說明自曝光波長λ=248 nm KrF 以降，至鰭式場效電晶體（FinFET）時代，如何運用各種 不同的曝光技術與圖案化方法來實現更微小的電路圖案。（20 分）
#560352
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