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最新科目
【段考】國三社會上第三次
科目:
【段考】國三社會上第三次
分類ID:
3604
【段考】國三社會下第一次
科目:
【段考】國三社會下第一次
分類ID:
3605
【段考】國三社會下第二次
科目:
【段考】國三社會下第二次
分類ID:
3606
最新試卷
109年 - 109 關務特種考試_三等_輪機工程:輔機#86474
科目:
輔機
年份:
109年
題數:
9 題
109年 - 109 關務特考_三等_電機工程:電機機械#86475
科目:
電機機械
年份:
109年
題數:
8 題
109年 - 109 身心特考_三等_資訊處理:資通網路#86476
科目:
電腦網路(計算機網路 網路工程 資通網路)
年份:
109年
題數:
10 題
最新試題
試題
試卷:
114年 - 16600 用電設備檢驗 丙級 工作項目 04:裝表工作 1-66(2025/12/23 更新)#135656
科目:
技檢◆用電設備檢驗-丙級
內容:
32. 電壓與電流的相角相差愈大,表示功率因數為何? (A)愈大 (B)愈小 (C)不相關 (D)不變 。
試題
試卷:
114年 - 16600 用電設備檢驗 丙級 工作項目 04:裝表工作 1-66(2025/12/23 更新)#135656
科目:
技檢◆用電設備檢驗-丙級
內容:
33. 某交流電路為超前功率因數,表示意義為何? (A)電流滯後電壓 (B)電流超前電壓 (C)電流超前功因 (D)電壓...
試題
試卷:
114年 - 16600 用電設備檢驗 丙級 工作項目 04:裝表工作 1-66(2025/12/23 更新)#135656
科目:
技檢◆用電設備檢驗-丙級
內容:
34. 利用兩只單相瓦特表測量三相功率時,其總功率表示式為何? (A)P1+P2 (B)√3(P1+P2) (C)√3 (P1-P2) (D)。
最新申論題
申論題
試卷:
114年 - 114 地方政府公務特種考試_三等_電子工程:半導體工程#134688
科目:
半導體工程
題組:
四、
內容:
(一)請說明為何金氧半場效電晶體(MOSFET)的長通道與短通道元件之臨界電壓會有所不同。(8 分)
申論題
試卷:
114年 - 114 地方政府公務特種考試_三等_電子工程:半導體工程#134688
科目:
半導體工程
題組:
四、
內容:
(二)如何從汲/源極設計的角度來抑制短通道效應?並說明此方法可能導致的副作用。(12 分)
申論題
試卷:
114年 - 114 地方政府公務特種考試_三等_電子工程:半導體工程#134688
科目:
半導體工程
內容:
五、隨著技術節點持續微縮,曝光技術亦不斷演進。請說明自曝光波長λ=248 nm KrF 以降,至鰭式場效電晶體(F...
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生藥學分章節題庫(108-1~114-2)
章節:
類苯丙烷
木酚素及新木酚素Lignan and Neolignan
課程:
生藥學分章節題庫(108-1~114-2)
章節:
類苯丙烷