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最新科目
【段考】國三社會上第三次
科目：
【段考】國三社會上第三次
分類ID：
3604
【段考】國三社會下第一次
科目：
【段考】國三社會下第一次
分類ID：
3605
【段考】國三社會下第二次
科目：
【段考】國三社會下第二次
分類ID：
3606
最新試卷
無年度 - [無官方正解]113 大學音樂術科考試_新型試題模擬測驗試題：樂理#121019
科目：
教甄◆音樂專業
題數：
30 題
113年 - 113 金融法制暨犯罪防制中心辦理_防制洗錢與打擊資恐專業人員測驗試題：防制洗錢與打擊資恐法令及實務#121020
科目：
防制洗錢與打擊資恐法令及實務1
年份：
113年
題數：
80 題
106年 - 106 全國技術士技能檢定學科_乙級：15704農田灌溉排水─灌溉水質管理及檢驗項#121021
科目：
技檢◆農田灌溉排水-灌溉水質管理及檢驗項-乙級
年份：
106年
題數：
80 題
最新試題
試題
內容：
電氣設備發現線路發熱可能有下列何種原因？ (A)電流過低 (B)電壓太高 (C)接觸不良或線徑不足 (D)馬達空轉...
試題
內容：
Y－Δ啟動器啟動時間通常設定在 (A)0-5 秒 (B)5-7 秒 (C)7-12 秒 (D)15-20秒 。
試題
內容：
電氣設備之熔絲或保險絲，最佳材料為 (A)銅線 (B)銅片 (C)鐵絲 (D)依規定之規格使用 。
最新申論題
申論題
試卷：
114年 - 114 地方政府公務特種考試_三等_電子工程：半導體工程#134688
科目：
半導體工程
題組：
四、
內容：
(一)請說明為何金氧半場效電晶體（MOSFET）的長通道與短通道元件之臨界電壓會有所不同。（8 分）
申論題
試卷：
114年 - 114 地方政府公務特種考試_三等_電子工程：半導體工程#134688
科目：
半導體工程
題組：
四、
內容：
(二)如何從汲/源極設計的角度來抑制短通道效應？並說明此方法可能導致的副作用。（12 分）
申論題
試卷：
114年 - 114 地方政府公務特種考試_三等_電子工程：半導體工程#134688
科目：
半導體工程
內容：
五、隨著技術節點持續微縮，曝光技術亦不斷演進。請說明自曝光波長λ=248 nm KrF 以降，至鰭式場效電晶體（F...
最新課程
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陳耘得
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陳耘得
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講師：
陳耘得
簡介：
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高一地科全
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祝各位前程似錦
工程品管
描述：
工程品管
考題解析
描述：
解析
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