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最新科目
【段考】國三社會上第三次
科目：
【段考】國三社會上第三次
分類ID：
3604
【段考】國三社會下第一次
科目：
【段考】國三社會下第一次
分類ID：
3605
【段考】國三社會下第二次
科目：
【段考】國三社會下第二次
分類ID：
3606
最新試卷
112年 - 112 地方政府特種考試_四等_文化行政：本國文學概要#118079
科目：
公職◆本國文學概論
年份：
112年
題數：
4 題
112年 - 112 地方政府特種考試_四等_社會工作：社會工作實務概要#118080
科目：
社會工作實務
年份：
112年
題數：
4 題
112年 - 112 地方政府特種考試_四等_社會行政：社會工作概要#118081
科目：
社會工作概論
年份：
112年
題數：
29 題
最新試題
試題
內容：
請問下圖為何種閥 (A)電動閥 (B)電磁閥 (C)手動閥 (D)氣動閥 。
試題
內容：
請問下圖為何種設備 (A)T 形過濾器 (B)Y 形過濾器 (C)T 形洩水器 (D)Y 形洩水器 。
試題
內容：
管線中之膜片控制閥標示記號為(A) (B) (C) (D) 。
最新申論題
申論題
試卷：
114年 - 114 地方政府公務特種考試_三等_電子工程：半導體工程#134688
科目：
半導體工程
題組：
四、
內容：
(一)請說明為何金氧半場效電晶體（MOSFET）的長通道與短通道元件之臨界電壓會有所不同。（8 分）
申論題
試卷：
114年 - 114 地方政府公務特種考試_三等_電子工程：半導體工程#134688
科目：
半導體工程
題組：
四、
內容：
(二)如何從汲/源極設計的角度來抑制短通道效應？並說明此方法可能導致的副作用。（12 分）
申論題
試卷：
114年 - 114 地方政府公務特種考試_三等_電子工程：半導體工程#134688
科目：
半導體工程
內容：
五、隨著技術節點持續微縮，曝光技術亦不斷演進。請說明自曝光波長λ=248 nm KrF 以降，至鰭式場效電晶體（F...
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陳耘得
簡介：
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高一地科全
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祝各位前程似錦
工程品管
描述：
工程品管
考題解析
描述：
解析
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