103年 - 103 中華電信股份有限公司所屬機構從業人員（基層專員）遴選_資訊類專業職（四）第一類專員：電子學#93854

31.已知矽在溫度 300 K 時的本質載子濃度(intrinsic carrier concentration) 為，若摻雜的受體(acceptor) 濃度為，則此時少數載子(minority carrier)的濃度為何？ (A) (B)(C) (D)

32.某 pn 接面二極體在溫度 300 K、逆向偏壓(revers-bias)電壓為 1 V 時的電流為A，則在同樣溫度下、逆向偏壓電壓為 0.5 V 時的電流為何？ (A) (B) (C) (D)

34.假設交流電源，則經半波整流後的平均輸出電壓為何？(A)(B) 110 V (C) (D)

35.如【圖 35】所示之二極體截波器(clipper)，若 vi = 10 sin (2π×60t) V 且= 8 V，則 vo的最大值為何？
(A) 0 V (B) 2 V (C) 10 V (D) 18 V

36.根據穩壓率的定義：，若，請問下列的值符合 5%的穩壓率要求者為何？ (A) 5.0 V (B) 5.1 V (C) 5.2 V (D) 5.3 V

41.如【圖 41】所示 BJT 電路，使約為 2 V 之值為何？
(A) 1.2 kΩ (B) 1.4 kΩ (C) 1.6 kΩ (D) 1.8 kΩ

42.如【圖 42】所示以分壓器偏壓之 BJT 共射極(common-emitter, CE)放大器，則下列敘述何者錯誤？
(A)計算直流偏壓條件時，C₁與 C₂可視為開路 (B)集極到基極間電壓約等於 1.4 V (C)電壓增益約為−2 倍 (D)基極電流 IB約等於 4 µA

44.如【圖 44】所示以 CC 放大器為主的達林頓對(Darlington pair)放大器，則等效的共射極電流增益β為何？
(A) 50 (B) 150 (C) 5000 (D) 2

46.一 N 型 JFET 的夾止電壓(pinch-off voltage) 為−5 V，當操作於歐姆區(ohmic region)或三極區(triode region)、 且為一固定值−1 V 時，下列汲-源極電壓，何者可以產生最大的？ (A) 4 V (B) 3 V (C) 2 V (D) 1 V

47.如【圖 47】所示的 JFET 電路，= 12 mA 且= −3 V，請問下列值何者可以使該 JFET 操作於夾止區？
(A) 0.9 kΩ (B) 1.1 kΩ (C) 1.3 kΩ (D) 1.5 kΩ

49.一空乏型 NMOSFET 的= 9 mA、= −3 V，當= 1 V、= 4 V 時，值為何？ (A) 1 mA (B) 4 mA (C) 9 mA (D) 16 mA

50.一空乏型 NMOSFET 的= 9 mA、= −3 V，當 = 4 V 時，則= 1 V 與−1 V 的比值為何？ (A) 1 : 1 (B) 16 : 9 (C) 16 : 4 (D) 16 : 1

51.一增強型(enhancement type) NMOSFET 的臨界電壓(threshold voltage)，且在 = 4 V 時的飽和汲極電流為 9 mA，則 = 3 V 時的 為何？ (A) 0 mA (B) 4 mA (C) 9 mA (D) 16 mA

52.如【圖 52】所示電路，下列敘述何者錯誤？
(A)此 NMOSFET 永遠操作於三極區 (B)當 V 小於時，此電路視同開路 (C)此電路經常取代電阻作為負載使用 (D)其小信號等效電阻與直流偏壓電流的平方根成反比

53.在一差動放大器(differential amplifier)中，已知其共模增益(common-mode gain)，共模拒斥比 (common-mode rejection ratio, CMRR)為 100 dB，則差動增益(differential gain) 為： (A) 100 (B) 50 (C) 20 (D) 10

59.在邏輯帶(logic band)區域所定義的四種邏輯準位電壓參數，其間正確的大小關係為： (A) (B) (C) (D)

題目三：
如【圖三】所示之增強型 NMOSFET 偏壓電路，若其操作於夾止區，K = 0.5 mA / V²、 ，請求出與汲極電壓 的最大容許交流振幅。【10 分】

題目四： 如【圖四】所示的 BJT 電流鏡(current mirror)，假設 Q₁、Q₂ 為匹配電晶體，請證明：
【其中α為共基極電流增益(common-base current gain)】【10 分】