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研究所、轉學考(插大)◆電磁學
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105年 - 105年高等三級暨普通考高考三級電磁學 #54529
科目:
研究所、轉學考(插大)◆電磁學 |
年份:
105年 |
選擇題數:
0 |
申論題數:
18
試卷資訊
所屬科目:
研究所、轉學考(插大)◆電磁學
選擇題 (0)
申論題 (18)
⑴列出兩片介電質交界處之電場邊界條件。
⑵兩片金屬板之間的電場線積分應與外接電壓源之電壓相等,據此列出 E
1
及 E
2
與 V
0
之關係式。
⑶根據前述⑴、⑵題之關係式求解 E
1
及 E
2
。
⑷求解上端金屬板內側之電荷密度。
⑸求解兩片金屬板間之電容表示式。
⑴若將螺線圈視為一無厚度之等效金屬圓筒,該圓筒上之電流密度為何?
⑵列出圓筒內側電流密度與磁場之邊界條件。
⑶解釋為何圓筒內部之磁場可視為一常數。
⑷求解流經圓筒內之總磁通量。
⑸求解該螺線圈之電感。
【已刪除】 ⑴根據 Ampere's law: ∇ ×
= jωε
及 Faraday's law: ∇ ×
= − jωμ
,分別推導 k
1
與(μ
0
, ε
1
)的關係式及 k2 與(μ
0
, ε
2
)的關係式。(6 分)
【已刪除】 ⑵根據 Faraday's law: ∇ ×
= − jωμ
,分別推導入射平面諧波之磁場
in 、反射平 面諧波之磁場
re 及穿透平面諧波之磁場
tr 的表達式。 (9分)
⑶列出在兩介質交界處之電場及磁場的邊界連續條件。 (6分)
⑷求解上述邊界條件,得出 R 及 T 的表達式。 (4 分)
⑴推出 E
x
及 E
y
的表達式,內含 f (x)及 g (y)。 (6分)
⑵列出在四片理想導體表面,電場分量須滿足的邊界條件。 分) (4
⑶求解 f (x)及 g (y)的外顯表達式,並註明可能存在的模式。 (10 分)
⑷列出可能存在模式的 kz 外顯表達式,並註明各該模式可以沿著 z 方向傳播的頻率 範圍。 (5 分)