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106年 - 106 台灣電力公司_新進僱用人員甄試：電子學#63883

科目：台電◆電子學 | 年份：106年 | 選擇題數：50 | 申論題數：0

試卷資訊

所屬科目：台電◆電子學

選擇題 (50)

1. 有一脈波寬度為100 μs，工作週期為50 %，則此脈波之頻率為何？ (A)0.2 kHz (B) 0.5 kHz (C) 2 kHz (D) 5 kHz

2. 如右圖所示電路，若二極體之導通電壓為0.7 V ，則輸出電壓值Vo為何？phpAZb86c (A)3.7 V (B) 4.7 V (C) 6.7 V (D) 10 V
3. 有一電源電路之輸出電壓V(t)= 10＋0.2sin(ωt)伏特，則其漣波因數百分比約為多少？ (A) 1.41 % (B) 2 % (C) 4.24 % (D) 5.21 %
4. 有一直流電源之電動勢為30 V，內阻為2 Ω，滿載時所提供之電流為2.5 A，則此電源之電壓調 整率為何？ (A)25 % (B) 20 % (C) 15 % (D) 10 %

[C] 5. 如右圖所示電路，假設射極電壓VE = -0.7 V，β = 50，VCC = 10 V，則VC約 為多少？phpPfGHci (A) 1.37 V (B) 3.82 V (C) 5.44 V (D) 7.73 V

6. 下列何者為電晶體電路施加直流偏壓的主要目的？ (A)決定電晶體的α值 (B)決定電晶體的工作溫度 (C)決定電晶體的β值 (D)決定電晶體的工作點(operating point)

7. 如右圖所示電路，Q1與Q2為匹配之電晶體(β1 = β2 = β)，且皆操作於作用 Iref I0 區(active region)，請問 phpdnWuj2 為下列哪個選項？phpHS1vTQ (A)php5Rl6qB (C) phpE4IFzD (B) phpybnrrV (D) phpLlg0WX

8. 當一輸出額定值為40 W的放大器被接到一個10 Ω的揚聲器上，若放大器之功率增益為20 dB， 試求在全功率輸出時，輸入功率應為多少？ (A) 500 mW (B) 400 mW (C) 300 mW (D) 200 mW
9. 有一N通道增強型MOSFET的臨界電壓VT = 2 V，當VGS = 5 V時，MOSFET工作於飽和區(夾止 區)，且ID = 3 mA。若VGS = 8 V，則轉移電導gm為何？ (A) 1 mS (B) 2 mS (C) 4 mS (D) 6 mS

10. 如右圖所示電路，已知gm = 5 mS，rd = 20 kΩ，則Vo為何？ (A) -10 mV (B) 10 mV (C) -20 mV (D) 20 mV phpLqLMm5

11. 如右圖所示電路，若Q1與Q2完全相同，則Vo的週期約為多少？ (A) 2.1 RC (B) 2 RC (C) 1.4 RC (D) 0.7 RCphp0njU23

重新載圖

12. 如右圖所示電路，為_______  濾波電路，其截止頻率為 ______，請 問空格處應填入下列哪組選項？ phpZKIMBU (A)低通、 phpDkjowf  (B)低通、php9XdjB0(C)高通、phpgzHYal (D)高通、 phpOVyT6D

13. 運算放大器若利用RC相移電路產生振盪，則此RC電路必須提供的相位移為何？ (A) 90° (B) 180° (C) 270° (D) 360°
複選題
14. 有一只PN矽質二極體之溫度為25 °C時，其順向電壓為0.7 V，則當溫度上升到多少°C時，其順向電壓為0.5 V？ (A) 105 (B) 125 (C) 145 (D) 165 .

15. 如右圖所示電路，其I-V特性曲線為下列何者？ (A) phpz5IYo6(B) phpILyO9Y (C) phpXzItIy(D) phpXYPTc6phpN4tYip
16. 若有一共射極組態電晶體之α值由0.98變至0.99，則β值變化為何？ (A)由99變為49 (B)由88變為49 (C)由49變為88 (D)由49變為99
17. 有關電晶體的結構與特性，下列敘述何者有誤？ (A) NPN電晶體少數載子為電洞 (B) 含雜值比例是射極多於集極 (C) 含雜值比例是基極多於集極 (D) PNP電晶體的射極內，電子為多數載子

18. 如右圖所示之LED驅動電路，使LED發亮的電壓為 2 V，電流為 15 mA ，假設飽和電晶體之VCE(sat)電壓降可忽略不計，VBE(sat) = 0.8V，試求RB 、RC的適當電阻值為何？ (A) 15 kΩ、100 Ω (B) 15 kΩ、200 Ω (C) 25 kΩ、100 Ω (D) 25 kΩ、200 Ω phpQWUhya

19. 如右圖所示之放大電路，已知電晶體的β值為109，此電路的rπ為 1.1 kΩ，則此放大電路的輸出阻抗Zo約為多少？phpchYcb6 (A) 1 kΩ (B) 100 Ω (C) 9.9 Ω (D) 0.99 Ω 
20. 有一電路之電流增益Ai = 49，輸入阻抗為2 kΩ，輸出阻抗為18 kΩ，則此電路之電壓增益為何？ (A) 69 (B) 245 (C) 441 (D) 521
21. 有一個N通道JFET，若IDSS = 12 mA，VGS(OFF) = VP = -4 V，則VGS = -2 V時的ID電流值為何？ (A) 6 mA (B) 3 mA (C) 2 mA (D) 0 mA
22. 有一個P通道增強型MOSFET，其臨界電壓VT = -2 V，假設其閘極(gate)接地而源極(source)接 至+5 V，欲使此元件操作在飽和區(saturation region)，則汲極(drain)之最高電壓為何？ (A) 7 V (B) 5 V (C) 3 V (D) 2 V
23. 下列由理想運算放大器(OPA)所製作的應用電路中，哪一種電路中之OPA的輸入端不可看成 虛短路？ (A)比較器 (B)非反相放大器 (C)反相放大器 (D)微分器
24. 有一差動放大器，其兩輸入電壓分別為Vi1 = 55 μV，Vi2 = 45 μV，共模拒斥比CMRR(dB) = 40 dB ，差模增益 Ad = 500，則下列何者正確？ (A)共模增益AC = 10 (B)差模輸入電壓Vd = 5 μV (C)共模輸入電壓VC = 100 μV (D)輸出電壓Vo = 5.25 mV
25. 有關理想運算放大器的特性，下列敘述何者有誤？ (A)輸出阻抗無限大 (B)有虛擬接地現象 (C)輸入阻抗無限大 (D)開迴路電壓增益無限大
26. 類比式交流電壓表所量測的交流電壓值為下列何者？ (A)平均值 (B)最大值 (C)有效值 (D)波形與頻率
27. 下列何者不是二極體常見的功用？ (A)整流 (B)截波 (C)濾波 (D)保護
28. 稽納二極體(Zener Diode)常應用於下列何種電路？ (A)穩壓電路 (B)微分電路 (C)濾波電路 (D)放大電路

29. 如右圖所示，Vi = 20 V，稽納二極體(Zener Diode)的崩潰電壓Vz = 10 V ，R1 = 1 kΩ，R2 = 2 kΩ，則輸出電壓值Vo為何？php1KUXR2 (A) 5 V (B) 10 V (C) 13V (D) 20 V

30. 如右圖所示，Vi = 20 V，稽納二極體(Zener Diode)之崩潰電壓Vz = 8 V ，R1 = 1 kΩ，R2 = 2 kΩ，則此稽納二極體(Zener Diode)所消耗之功率 為多少？phpjEKeDM (A) 64 mW (B) 24 mW (C) 16 mW (D)趨近0 W

31. 如右圖所示，Vi = 10 V，稽納二極體(Zener Diode)之崩潰電壓Vz = 8 V ，R1 = 1 kΩ，R2 = 2 kΩ，則此稽納二極體(Zener Diode)所消耗之功率 為多少？phpyO87p1 (A) 64 mW (B) 24 mW (C) 16 mW (D)趨近0 W

32. 有一電晶體，適當偏壓於作用區，測得IB = 0.05 mA，IE = 5 mA，則此電晶體的α值為多少？ (A) 0.01 (B) 0.99 (C) 9.9 (D) 100
33. 下列何種電路不具備電流放大的功能？ (A)共基極放大電路 (B)共射極放大電路 (C)共集極放大電路 (D)達靈頓電路
34. 下列何種BJT電晶體放大電路組態之功率增益最高？ (A)共閘極組態 (B)共集極組態 (C)共基極組態 (D)共射極組態
35. 一般BJT電晶體作為小信號線性放大器，電晶體必須施加適當偏壓，使工作點(operating point) 落在下列哪種區域內，可獲得較佳之放大倍率？ (A)作用區(active region)內 (B)反向作用區(reversed, active region)內 (C)截止區(cut-off region)內 (D)飽和區(saturation region)內

36. 如右圖所示電路，電晶體的β = 100，集極電流為 2 mA，VCE = 4 V，RC兩端 之電壓為 4 V，VBE = 0.7 V，則RE之電阻值約為多少？phpB6Hmfw (A) 0.2 kΩ (B) 2 kΩ (C) 20 kΩ (D) 200 kΩ

37. 如右圖所示電路，電晶體的 β = 120，VCE(sat) = 0.2 V，VBE(act) = VBE(sat)= 0.7 V，稽納二極體(Zener Diode)之崩潰電壓VZ = 5.6 V，當Vi = 2 V，Vo約為多少？phpXF5qCt (A) 2.8 V (B) 5.6 V (C) 6.3 V (D) 7.3 V Vi

38. 如右圖所示電路，電晶體的 β = 120，VCE(sat) = 0.2 V，VBE(act) = VBE(sat)= 0.7 V，稽納二極體(Zener Diode)之崩潰電壓VZ = 5.6 V，當Vi = 3 V，Vo約為多少？ phpYHhhXC(A) 2.8 V (B) 4.3 V (C) 5.6 V (D) 7.3 V Vi

39. 如右圖所示電路，電晶體的 β = 120，VCE(sat) = 0.2 V，VBE(act) = VBE(sat)= 0.7 V，稽納二極體(Zener Diode)之崩潰電壓VZ = 5.6 V，當Vi = 3 V時，電流I約為多少？php6LDViT (A) 5.3 mA (B) 5.17 mA (C) 4.9 mA (D) 0 mA 

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40. 對於達靈頓(Darlington)電路特徵的敘述，下列何者有誤？ (A)電壓增益高 (B)輸入阻抗高 (C)電流增益高 (D)輸出阻抗低
41. 已知一放大電路電壓增益AV為100，電流增益Ai為10，則其功率增益AP(dB)為多少？ (A) 10 dB (B) 30 dB (C) 60 dB (D) 1000 dB

42. 下圖所示CMOS反相器電路，若不計電路延遲，且輸入信號如標示(a)之弦波，則輸出之信號Vo 應為下列何者？ phpAfCz0R (A)同頻率之脈波 (B) 16倍頻率之脈波 (C)同頻率之弦波 (D) 16倍頻率之弦波

43. 下圖所示CMOS反相器電路，若不計電路延遲，且輸入信號如標示(b)之方波，則輸出之信號Vo 應為下列何者？ phpWPoOwd (A)同頻率反相之方波 (B) 16倍頻率反相之方波 (C)同頻率同相之方波 (D) 16倍頻率同相之方波

44. 有一採用共源極放大電路之場效電晶體，其參數gm = 1.5 mU，rd = 10 kΩ，已知電路中不存在源極 電阻RS，而汲極電阻RD= 10 kΩ，請問該電路之電壓增益AV為何？ (A) -30 (B) -18.75 (C) -7.5 (D) -5
45. 下列敘述，何者有誤？ (A) MOSFET電晶體為單極性(unipolar)電晶體 (B) BJT電晶體為雙極性(bipolar)電晶體 (C)一般BJT電晶體的基極輸入阻抗比MOSFET電晶體閘極的輸入阻抗小 (D) MOSFET電晶體為一種電流控制元件

46. 如右圖所示電路，此電路功能為下列何種濾波器？ (A)帶拒濾波器 (B)帶通濾波器 (C)高通濾波器 (D)低通濾波器 phpDut9iz

47. 右圖為理想放大器所構建之韋恩電橋(Wien-bridge)振 盪器，若R1 = R2，C1 = C2，其電壓增益AV應為下列何 者？phpBenLqg(A) 3 (B) 2  (C) 1 (D) -1

48. 右圖為理想放大器所構建之韋恩電橋(Wien-bridge)振 盪器，若R1 = 4 kΩ，R2 =1 kΩ，R4 = 10 kΩ，C1 = 0.1 μF ，C2 = 0.4 μF，請問R3之電阻值應為多少？phpc75u2K (A) 100 kΩ (B) 90 kΩ (C) 80 kΩ (D) 70 kΩ 

49. 右圖為理想放大器所構建之韋恩電橋(Wien-bridge)振 盪器，若R1 = 4 kΩ，R2 =1 kΩ，R4 = 10 kΩ，C1 = 0.1 μF ，C2 = 0.4 μF，該電路之電壓增益AV應為多少？phpMYbEcl (A) 10 (B) 9 (C) 8 (D) 7

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50. 右圖為理想放大器所構建之韋恩電橋(Wien-bridge)振 盪器，若R1 = 4 kΩ，R2 =1 kΩ，R4 = 10 kΩ，C1 = 0.1 μF ，C2 = 0.4 μF，該電路之回授量β應為多少？ (A) phpSTiWEK (B)php3H8kxO (C)php2abpOE(D) php9nf3bLphp0DeG2D

申論題 (0)