22. 有一個P通道增強型MOSFET,其臨界電壓VT = -2 V,假設其閘極(gate)接地而源極(source)接 至+5 V,欲使此元件操作在飽和區(saturation region),則汲極(drain)之最高電壓為何?
(A) 7 V
(B) 5 V
(C) 3 V
(D) 2 V
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統計: A(29), B(9), C(46), D(156), E(0) #1639590
統計: A(29), B(9), C(46), D(156), E(0) #1639590
詳解 (共 2 筆)
#2736293
飽和條件:
1通道形成VGS<VT
2.GD間通道夾止 VGD>VT,0-VD>=-2 VD<=2
VGS-VT>VDS,0-5-(-2)> VD-5,-3> VD-5,2>=VD
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