22. 有一個P通道增強型MOSFET,其臨界電壓VT = -2 V,假設其閘極(gate)接地而源極(source)接 至+5 V,欲使此元件操作在飽和區(saturation region),則汲極(drain)之最高電壓為何?
(A) 7 V
(B) 5 V
(C) 3 V
(D) 2 V

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統計: A(29), B(9), C(46), D(156), E(0) #1639590

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#2370342
VDS<=VGS-VTVD-5&l...
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#2736293

飽和條件:

1通道形成VGS<VT

2.GD間通道夾止  VGD>VT0-VD>=-2  VD<=2

                VGS-VT>VDS0-5-(-2)> VD-5-3> VD-52>=VD 

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私人筆記 (共 2 筆)

私人筆記#2635181
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眼瞎,題目沒看清楚...
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私人筆記#7638448
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