107年 - 107 鐵路特種考試_高員三級_電子工程：半導體工程#69602

科目：半導體工程 | 年份：107年 | 選擇題數：0 | 申論題數：10

試卷資訊

所屬科目：半導體工程

選擇題 (0)

申論題 (10)

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⑴請寫出下圖(a)立方晶系之 A、B、C Miller indices 方向。（6 分） phpHRcUQ6

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⑵請寫出下圖(b)立方晶系之 A、B、C Miller indices 平面。（6 分） phpVOezOz

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⑶用四個指標標示下圖(c)六方晶系之方向 C、D 與平面。（12 分） phpGNhPY2

二、請畫出如何利用霍爾效應量測載子濃度之架構圖，並以 n 型半導體為例說明如何量測載子濃度。（10 分）

三、請畫出矽和砷化鎵之電子漂移(drift)速度與電場之關係圖，並說明其不同之處與原因。（10 分）

四、矽的 PN 二極體屬單邊陡接面二極體(one-sided abrupt junction)，其 N_A=2×10¹⁹ cm^-3，
N_D=1×10¹⁶ cm^-3，請計算其二極體之內建電壓(V_bi)，空乏區(W)，接面電容(在 0V 時) 。
Note：矽本質濃度 9.65×10⁹ cm^-3，介電常數 11.7。（12 分）

五、以 n 型通道元件為例，請畫出金氧半場效電晶體增強型模式結構與空乏型模式結構, 並分別解釋如何運作。（20 分）

六、請說明兩種在 n 型基板上可製作得到 pn 二極體接面之方法，並比較其不同。（10 分）

七、在半導體製程中常須將元件製作在 SOI(Silicon on insulator)，請說明 SOI 如何製作而得。（10 分）

八、請寫出發光二極體之理想 I-V 關係式?此理想關係式會受哪些影響與需進行何種修正？（8 分）