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109年 - 109 高等考試_三級_材料工程：材料分析#88968

科目：材料分析 | 年份：109年 | 選擇題數：0 | 申論題數：7

試卷資訊

所屬科目：材料分析

選擇題 (0)

申論題 (7)

⑴X光繞射儀（XRD）之基本結構組成包括那些？各具有的功能為何？
⑵如何從XRD繞射圖型中所量測之繞射訊號得知晶體之平面間距？
⑴掃描式電子顯微鏡（SEM）成像之訊號源是如何產生？訊號源有何特徵？
⑵說明電子束之尺寸與電流對SEM影像品質及放大倍率之影響。
⑴X光光電子能譜儀（XPS）常用之光源與光電子訊號特徵為何？
⑵以XPS進行矽晶體表面分析，如何從矽之訊號判斷是否有寄生氧化物（native oxide）生成？又如何從訊號特徵估計出氧化之狀況或程度？
四. 如欲分析鋁合金中常有的非平衡相析出物，包括形狀、尺寸、晶體結構、化學組成及其與鋁基材（matrix）之方位/界面關係，試述可採用的分析技術及採用之依據，並敘述製備試樣之方法與條件。