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109年 - 109 高等考試_三級_材料工程：材料分析#88968
> 申論題
題組內容
一.
⑵如何從XRD繞射圖型中所量測之繞射訊號得知晶體之平面間距？
相關申論題
⑴X光繞射儀（XRD）之基本結構組成包括那些？各具有的功能為何？
#361348
⑴掃描式電子顯微鏡（SEM）成像之訊號源是如何產生？訊號源有何特徵？
#361350
⑵說明電子束之尺寸與電流對SEM影像品質及放大倍率之影響。
#361351
⑴X光光電子能譜儀（XPS）常用之光源與光電子訊號特徵為何？
#361352
⑵以XPS進行矽晶體表面分析，如何從矽之訊號判斷是否有寄生氧化物（native oxide）生成？又如何從訊號特徵估計出氧化之狀況或程度？
#361353
四. 如欲分析鋁合金中常有的非平衡相析出物，包括形狀、尺寸、晶體結構、化學組成及其與鋁基材（matrix）之方位/界面關係，試述可採用的分析技術及採用之依據，並敘述製備試樣之方法與條件。
#361354
四、請說明掃描式電子顯微鏡呈像模式中二次電子影像（SEI）與背向散射電 子影像（BEI）之優缺點。（20 分）
#469132
(二)感應耦合電漿發射光譜圖（ICP-OES）可用來解析微量元素分析之原理。
#469131
(一) X 光光電子能譜圖（XPS）可用來解析材料表面之化學價態之原理。
#469130
(二)請比較拉曼光譜儀中斯托克（Stokes）與非斯托克（Anti-Stokes）兩種 拉曼散射頻率、能階與強度之差異。 （15 分）
#469129
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