試題詳解

試卷：108年 - 108-2 技術士技能檢定學科測試試題-甲級：11600 電力電子#81934 | 科目：技檢◆電力電子-甲級

試卷名稱：108年 - 108-2 技術士技能檢定學科測試試題-甲級：11600 電力電子#81934

年份：108年

科目：技檢◆電力電子-甲級

複選題
71. 下列哪些選項符合氮化鎵場效電晶體(GaN FET)的結構與特性？
(A)與矽 MO SFET 相較，其閘極漏電流較小
(B)閘極儲存電荷低
(C)低導通電阻
(D)切換頻率可達 10MH z 以上。

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