1. 下列關於半導體偵檢器的敘述何者錯誤？
(A) Si 原子具有 4 個價電子
(B) Ge 的 W 值為 35 eV/離子對
(C)在輻射度量時，加在半 導體 n-p 接合處（n-p junction）的偏壓是反向的
(D)在 Ge 晶體中，加入少量有 5 個價 電子的 As，生成的半導體為 n 型半導體

答案：登入後查看
統計： A(9), B(90), C(14), D(13), E(0) #2097059

詳解 (共 1 筆)

#3647198
Ge 的 W 值約為 3 eV/離子對 
(共 22 字，隱藏中）
前往觀看
10
1