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專科學力鑑定◆專(一、二):電子學
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110年 - 110 自學進修專科學校學力鑑定_冷凍空調、電機工程、電子工程、 電訊工程、資訊工程:電子學#103918
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13. 關於稽納二極體特性及應用的敘述,下列何者正確?
(A) 逆向特性與一般二極體相同
(B) 逆向崩潰時兩端電壓約為定值
(C) 崩潰時逆向電流維持定值
(D) 應用於發光電路
答案:
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統計:
A(1), B(3), C(0), D(0), E(0) #2803388
詳解 (共 1 筆)
加賴叫過去
B1 · 2025/07/13
#6537680
題目分析 本題主要考察對稽納二極體(Ze...
(共 990 字,隱藏中)
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1. 要使N通道增強型MOSFET導通,則VGS應加哪一種偏壓? (A) 0V (B) 負電壓 (C) 小於臨界電壓之正電壓 (D) 大於臨界電壓之正電壓
#2803376
2. 某一N通道空乏型MOSFET的為多少? (A) −2.5V (B) −1.5V (C) 1.5V (D) 2.5V
#2803377
3. 下列何者適用於阻抗匹配? (A) CS 放大器 (B) CD 放大器 (C) CG 放大器 (D) CB 放大器
#2803378
4. 圖(一)所示為電晶體偏壓電路的直流負載線,電晶體作為放大電路設計時,若要求輸出信號的失真最小,則工作點應設計在直流負載線上之何點? (A) A (B) B (C) C (D) D
#2803379
5. 關於二極體之敘述,下列何者正確? (A) 二極體的英文為Transistor (B) 電流只能從陰極流向陽極 (C) 為非線性元件 (D) 溫度每上升攝氏1度,切入電壓約上升1mV到2.5mV
#2803380
6. MOSFET電路加入正常工作偏壓VDD,若VGS -ID特性如圖(二)所示,VT為臨界電壓 (threshold voltage ),則MOSFET的型式,下列敘述何者正確? (A) P通道空乏型 (B) N通道空乏型 (C) P通道增強型 (D) N通道增強型
#2803381
7. 共閘極放大器的特性為下列何者? (A) 高輸入阻抗,低輸出阻抗 (B) 高輸入阻抗,高輸出阻抗 (C) 低輸入阻抗,高輸出阻抗 (D) 低輸入阻抗,低輸出阻抗
#2803382
8. 圖(三)所示之電路,已知MOSFET之互導= 2mS ,則其電壓增益為多少? (A) – 200 (B) – 100 (C) – 50 (D) – 40
#2803383
9. 電晶體電路小信號分析時,輸入與輸出耦合電容器的電容抗,下列敘述何者正確? (A) 視為短路 (B) 與外加信號電壓大小成正比 (C) 與流過電流大小成反比 (D) 視為開路
#2803384
10. 電晶體操作於飽和區(saturation region )時,其接面偏壓特性,下列敘述何者正確? (A) B-C 接面順向偏壓,B-E 接面順向偏壓 (B) B-C 接面逆向偏壓,B-E 接面逆向偏壓 (C) B-C 接面順向偏壓,B-E 接面逆向偏壓 (D) B-C 接面逆向偏壓,B-E 接面順向偏壓
#2803385
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