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試題詳解

試卷:112年 - 112 專技高考_聽力師:電生理聽力學#115995 | 科目:電生理聽力學

試卷資訊

試卷名稱:112年 - 112 專技高考_聽力師:電生理聽力學#115995

年份:112年

科目:電生理聽力學

15 進行爆破音聽性腦幹反應(tone burst ABR)檢查時,設定參數斜率修飾(ramping)之作用為何?
(A)降低頻譜擴散(splatter)並增加頻率特異性
(B)增加低通濾波器的敏感度,降低電訊干擾(electrical artifact)
(C)增加爆破音的頻譜範圍,可以獲得更多神經放電反應
(D)降低非刺激音誘發腦波(EEG)訊號干擾的問題
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詳解 (共 2 筆)

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