30. 如圖 ( 六 ) 所示之 JFET 自給偏壓電路,若飽和電流 IDSS = 4 mA,VDD = 12 V,截止電壓 VGS (OFF)= – 3.9V,則下列敘述何者正確? 
(A) 將RS短路時,量測之電流ID變小 圖(六)
(B) 電阻RG愈大,則量測之電流ID愈大
(C) 其偏壓VGS主要由電流ID與電阻RS之乘積決定
(D) 當VDD增加至18V時,量測之電流ID會增大1.5倍

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統計: A(11), B(5), C(44), D(8), E(0) #808527

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#3946203
空乏型JFET 其ID =(IDSS/V...
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