32.有一矽質二極體，已知室溫 25℃時，障壁電壓 VT＝0.7 V、逆向飽和 Io＝0.1 μA，若將二極體置於溫度為 55 ℃時，則下列選項何者正確？
(A) VT ＝ 0.625V
(B)VT ＝ 0.775V
(C) Io ＝ 0.3µA
(D)Io ＝ 3µA

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統計： A(83), B(20), C(7), D(1), E(0) #930750

詳解 (共 1 筆)

#1186323

每上升10°C逆向飽和電流多1倍、

當溫度每上升1 度時，障壁電壓. 矽: 減少2.5mV(-2.5mV/℃ ).. 鍺: 減少1mV(-1mV/℃ )..

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