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捷運◆電子概論
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108年 - 10801 桃園捷運:電子學概論#79638
> 試題詳解
37. 下圖所示之 FET 放大器電路中, A
V
= v
o
(t) / v
i
(t) 為小信號之電壓增益,試問移除旁路電容 C
B
後,其 | A
v
| 與移除前比較有何不同?
(A)變小
(B)變大
(C)不受影響
(D)極性改變 .
答案:
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統計:
A(16), B(9), C(4), D(0), E(0) #2079305
詳解 (共 2 筆)
Wu_2383
B1 · 2020/02/20
#3790444
A v (t) / v (t) V o ...
(共 141 字,隱藏中)
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【站僕】摩檸Morning.
B2 · 2020/02/20
#3790458
原本題目:37. 下圖所示之 FET 放...
(共 249 字,隱藏中)
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其他試題
33. 積體電路內之串級放大器電路大部分採用何種耦合方式? (A)直接耦合 (B)電容耦合 (C) 電阻耦合 (D)變壓器耦合
#2079301
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38. 下圖所示之運算放大器電路中, VZ 為稽納二極體的崩潰電壓,若 VZ = 6V ,試問在正常工作下的 If 為何? (A)2mA (B)1.5mA (C)1.25mA (D)1mA .
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39. 有一接面場效電晶體(JFET),其 IDSS 6mA = ,VGS(OFF) = -6V 。請問當直流偏壓 VGS = -3V 時,其汲極電流 I D 為何? (A) 18mA (B) 3mA (C) 1.5mA (D) 1mA .
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40. 增強型 MOSFET 的結構因素會造成臨界電壓 VT值的變化,請問以下何者對其影響最大? (A) 金屬導電層厚度 (B)半導體層的厚度 (C)二氧化矽的厚度 (D)金屬導電層的材質
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#2079311