試卷名稱：113年 - 113 台灣電力公司大學及研究所獎學金甄選試題_電力電子：電力電子#129259
年份：113年
科目：電力電子學
40.相較於基於矽的功率半導體元件，試問寬能隙功率半導體的臨界電場(critical filed)能力為何？(A)較高 (B)較低 (C)相同 (D)以上皆是
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