5. 某P通道增強型MOSFET，導電參數K = 0.5 mA/V2 ，臨界電壓VT = -2 V，試求VGS = -5 V時， ID值為何？
(A)6 mA
(B) 4.5 mA
(C) 2 mA
(D) 0.5 mA

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統計： A(3), B(193), C(7), D(3), E(0) #2336935

詳解 (共 3 筆)

#5447303

公式
ID=k*(VGS-VGS(t))平方

ID=0.5*((-5)-(-2))^2

=0.5*(-3)^2

=0.5*9

=4.5mA

 

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#5872668

P通道增強型MOSFET在溝道形成且開始導電的條件是當門源電壓 VGS 小於閾值電壓 VT。其漏電流 ID 與VGS、VT 之間的關係可以通過以下公式計算： ID = K * (VGS - VT)^2 （增強模式工作區） 在這個問題中，給出了導電參數 K = 0.5 mA/V^2，閾值電壓 VT = -2V，以及門源電壓 VGS = -5V。將這些值代入公式： ID = 0.5 mA/V^2 * ((-5V) - (-2V))^2 = 0.5 mA/V^2 * (-3V)^2 = 4.5 mA 所以，當 VGS = -5 V 時，ID 的值是 4.5 mA。

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#4036045
ID=1/2*K*Vov=0.5*0.5...
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