試題詳解

9. 以MOSFET組成邏輯閘之特性，以下敘述何者錯誤？
(A)以MOSFET取代BJT組成邏輯閘，可提高IC填裝之密度
(B)以MOSFET組成邏輯閘 較BJT組成的速度慢
(C)以MOSFET組成邏輯閘之扇出數與負載電容無關
(D)以 MOSFET組成邏輯閘較BJT組成的消耗功率低。