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材料性質
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109年 - 109 高等考試_三級_材料工程:材料性質#88941
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題組內容
一、下列為霍爾—培基方程式(Hall-Petch equation):
式中,σ
y
為多晶金屬之降伏強度,σ
0
與 k
y
為因材料而異之常數,d 為平 均晶粒直徑。請回答下列問題:
(二)對此方程式所描述之現象,解釋之。
其他申論題
⑵假設如此延遲的狀況會繼續下去,試預估專案完工的總成本。需列示算式與計算過程,否則不予計分。
#361192
三. 專案在進行系統測試時包含許多測試項目―如壓力測試(Stress testing)、效能測試(Performance testing)、恢復測試(Recovery testing)與配置測試(Configuration testing)等。就前述所提到的這四種測試分別說明其意義與目的,並以購物網站系統為例各舉一例來輔以說明。
#361193
四. 敏捷發展(Agile software development)是現代軟體開發所不可或缺之開發模式與概念。就以下的三個敘述所表達的觀念,請回答是否正確,並詳細論述您的看法:⑴敏捷發展法不需要寫文件、⑵採用敏捷發展法可縮短系統發展總時程、⑶有別於其他如CMMI等為計劃導向(Plan-based),敏捷發展法隨時在應變,故敏捷發展法不需要預先做規劃。註:CMMI全名為Capability Maturity Model Integration(能力成熟度整合模式)。
#361194
(一)試說明此方程式所描述之現象。 料製程中,有那些操作變因會影響晶粒之大小?如何使 晶粒細小?
#361195
(三)此方程式僅適用於一般晶粒大小之多晶金屬材料,譬如:不適用於晶粒 非常細小(如小至奈米級)之多晶金屬材料,請說明原因。
#361197
(四)根據此方程式,如何增強多晶金屬之機械強度?
#361198
(五)在多晶金屬材
#361199
(一)矽晶本質半導體(Intrinsic Semiconductor)的電荷載體濃度在室溫時甚 低,但溫度上升至約400 K以上時,電荷載體濃度隨溫度變化極大,請 說明原因。
#361200
(二)何謂n型外質半導體(n-Type Extrinsic Semiconductor)與P型外質半導體?
#361201
(三)n型外質半導體與P型外質半導體在極低的溫度下(如<200 K)就有相當 高的電荷載體濃度且隨溫度上升而增大,但在相當大的溫度範圍內(如 200~400 K),其電荷載體濃度幾乎不變,當溫度再升高時(如>400 K), 其電荷載體濃度又隨溫度變化極大,請說明原因。
#361202