題組內容

四、假設下圖之 M₁為一個操作在飽合區的 NMOS 電晶體(其轉導值為 g_m1)，並考慮此電晶體之 C_gs1(閘-源級間之寄生電容)與 r_g1(閘級之寄生電阻)。（共 20 分）

(二) 當頻率為何時，此輸入阻抗之實部為零。 (10 分)