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申論題資訊

試卷:110年 - 110 國立臺灣大學_碩士班招生考試_電子工程研究所丙組:近代物理(含半導體物理)#105749
科目:研究所、轉學考(插大)-近代物理學
年份:110年
排序:0

題組內容

3. (10%) Group-Vatoms (e.g. P, As, or Sb) have been doped in Si with an activation energy ED = 100 meV below the conduction band energy level Ec.The Fermi level (EF) is measured at an energy of 0.15 eV below Ec at room temperature. Assuming 61de776b04e24.jpg, degeneracy of the ionized impurity is two, please calculate

申論題內容

(a) (6%) concentration of ionized donors61de779d42b72.jpg