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申論題資訊

試卷:109年 - 108 國立中山大學_碩士班招生考試_電機系(甲組):半導體概論#124080
科目:中山◆電機◆電磁學
年份:109年
排序:0

題組內容

4. The phonon-limited mobility increases with decreasing temperature roughly as μph ∝ Τ−3/2. If μph =1500 cm²/V-s for a 1 μm long Si sample at 300 K.

申論題內容

(a) Calculate the drift velocity of electrons in Si at T = 90 K for a field of 102 V/cm.