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申論題資訊

試卷:103年 - 103 國立中山大學_碩士班招生考試_電機系(甲組):半導體概論#110035
科目:中山◆電機◆半導體概論
年份:103年
排序:0

題組內容

3. A silicon pr-p BIT has impurity concentrations of 62eb556120c19.jpg in the emitter, base, and collector, respectively. The base width is 0.7 um. The BJT is operated in the active mode with a 62eb557e33eb0.jpg = 60 V.

申論題內容

(c) Calculate the depletion layer width in base. (5%)