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102年 - 102 調查特種考試_三等_電子科學組：電子學與電路學#25519
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申論題
試卷：102年 - 102 調查特種考試_三等_電子科學組：電子學與電路學#25519
科目：電路學
年份：102年
排序：0
申論題資訊
試卷：
102年 - 102 調查特種考試_三等_電子科學組：電子學與電路學#25519
科目：
電路學
年份：
102年
排序：
0
題組內容
五、圖5 之CMOS 反相器電路，已知V
DD
=8 V，電晶體之臨限電壓為V
tn
=2 V，V
tp
=–2 V。 電晶體 Q
N
之電流 i
DN
特性如下：當 V
I
≦V
tn
(off)時 i
DN
= 0；當 0≦V
I
– V
tn
≦V
o
(sat)時 i
DN
= 25(V
I
– V
tn
)
2
；當V
I
–V
tn
≧V
o
(triode)時 i
DN
= 25[2(V
I
–V
tn
)V
o
–V
o
2
]。電晶體 Q
P
之電 流 i
DP
特性如下：當 V
I
≧V
DD
–│V
tp
│(off)時i
DP
= 0；當V
o
–│V
tp
│≦V
I
≦V
DD
–│V
tp
│(sat) 時 i
DP
=20(V
DD
–V
I
–│V
tp
│)
2
；當 V
I
≦V
o
–│V
tp
│(triode)時 i
DP
= 20[2(V
DD
– V
I
–│V
tp
│) (V
DD
– V
o
)–(V
DD
– V
o
) 2 ]。請求出：
申論題內容
⑴當 V
I
=1 V 時之 V
o
=？（10 分）
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