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101年 - 101 司法特種考試_三等_檢察事務官電子資訊組：電子學與電路學#26541
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申論題
試卷：101年 - 101 司法特種考試_三等_檢察事務官電子資訊組：電子學與電路學#26541
科目：電路學
年份：101年
排序：0
申論題資訊
試卷：
101年 - 101 司法特種考試_三等_檢察事務官電子資訊組：電子學與電路學#26541
科目：
電路學
年份：
101年
排序：
0
題組內容
三、如圖所示電晶體電路，已知理想NMOS電晶體之臨限電壓（threshold voltage）V
t
= 1.5 V， 電晶體於飽和區工作時之電流公式為I
D
= k．(V
GS
– V
t
)
2
，其中k = 0.5 mA/V
2
，忽略閘 極電流，請求出：
申論題內容
⑴I
D
=？（10 分）
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