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半導體工程
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114年 - 114 高等考試_三級_電子工程:半導體工程#128721
> 申論題
一、為什麼我們都使用有效電子質量(effective electron mass, m
e
*)分析半導體晶體的特性,而不是使用一般的電子質量(electron mass, m
0
)? (10 分)
相關申論題
(一)發光二極體(light-emitting diode, LED)、雷射二極體(laser diode)、光二極體(photodiode)、太陽能電池(solar cell)都是二極體的應用種類之一,它們的電流-電壓特性(current-voltage characteristic)曲線都很類似,如圖一所示。請分別說明這四種元件在正常工作模式下,是位於此電流-電壓特性曲線圖的第幾象限?(20 分)
#549060
(二)請說明為什麼蕭特基二極體(Schottky diode)不會展現擴散電容(diffusion capacitance)效應?(10 分)
#549061
(一)對於工作在主動模式(active mode)的 npn 雙極性接面電晶體(bipolar ,即射極-基極接面(EBJ)順向偏壓,集極-基 junction transistor,BJT) 極接面(CBJ)反向偏壓。假設由射極注入至基極的少數載子濃度在 EBJ 相鄰的中性基極處為 np(0),而在相鄰 CBJ 的中性基極處的少數濃度為 np(WB)。假設基極層的厚度 WB,此厚度遠低於電子在基極層的擴散長度 Ln,即 WB << Ln,請寫出流經此 p 型基極層的電子電流密度方程式。 (10 分)
#549062
(二)圖二為共射極電晶體的增益(gain, β)對集極電流(IC)的關係圖。請說明在低集極電流與高集極電流時,增益都會下降的原因。 (10 分)
#549063
(一)何謂次閾值斜率(subthreshold slope)?請說明它的單位是什麼?(10 分)
#549064
(二)在金氧半場效電晶體模型(MOSFET model)有一表面遷移率(surface ,它和一般塊晶體(bulk crysral)的遷移率比較,何者的值比 mobility)較高?請說明原因。 (10 分)
#549065
(一) 近代矽製程多使用離子布植 ( ion implantation) 技術製作淺接面 (shallow junction),之後再以快速熱退火(rapid thermal annealing, RTA)進行後續處理。請說明使用快速熱退火的原因。(10 分)
#549066
(二)一般傳統使用汞燈光源的黃光微影製程技術有接觸(contact)式、近接(proximity)式兩種,請比較其優缺點。 (10 分)
#549067
五、隨著技術節點持續微縮,曝光技術亦不斷演進。請說明自曝光波長λ=248 nm KrF 以降,至鰭式場效電晶體(FinFET)時代,如何運用各種 不同的曝光技術與圖案化方法來實現更微小的電路圖案。(20 分)
#560352
(二)如何從汲/源極設計的角度來抑制短通道效應?並說明此方法可能導致的副作用。(12 分)
#560351
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