一、考量摻雜砷原子濃度8×1015 cm-3的矽半導體材料，其電子移動率（electron mobility）與電洞移動率（hole mobility）分別是1350 cm2 /V sec 和480 cm2 /V sec；在絕對溫度為300 K，外加電場100 V/cm時，請計算其漂移電流密度（drift current density）之大小。

四、有位醫工系學生擬將壓力感測器輸出連接至單一運算放大器的反向放大電路，進行血壓測量實驗。此壓力感測器之最大輸出直流電壓為2 mV，等效輸出電阻為2 kΩ，最大輸出直流電流限制在0.2 mA；若反向放大電路對應2 mV輸入可以產生-0.1 V電壓輸出，請計算此反向放大電路之外加輸入與回授電阻值大小。