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申論題資訊

試卷:114年 - 114 高等考試_三級_電子工程:半導體工程#128720
科目:半導體工程
年份:114年
排序:0

申論題內容

三、(一)對於工作在主動模式(active mode)的 npn 雙極性接面電晶體(bipolar
,即射極-基極接面(EBJ)順向偏壓,集極-基
junction transistor,BJT)
極接面(CBJ)反向偏壓。假設由射極注入至基極的少數載子濃度在 EBJ
相鄰的中性基極處為 np(0),而在相鄰 CBJ 的中性基極處的少數濃度為
np(WB)。假設基極層的厚度 WB,此厚度遠低於電子在基極層的擴散長
度 Ln,即 WB << Ln,請寫出流經此 p 型基極層的電子電流密度方程
式。 (10 分)