申論題 - 阿摩線上測驗

申論題資訊

試卷：102年 - 102 鐵路特種考試_高員三級_電子工程：半導體工程#39957
科目：半導體工程
年份：102年
排序：0

二、一般以雙極性接面電晶體（Bipolar junction transistor）技術製作之 IC，常包含一矽磊晶製程以形成埋藏層（Buried layer），此製程可改善雙極性接面電晶體的工作特性，請說明此製程及其如何改善雙極性接面電晶體的工作特性。（20 分）