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102年 - 102 鐵路特種考試_高員三級_電子工程：半導體工程#39957

科目：半導體工程 | 年份：102年 | 選擇題數：0 | 申論題數：6

試卷資訊

所屬科目：半導體工程

選擇題 (0)

申論題 (6)

⑴請說明為何積體電路（Integrated circuits，簡稱 IC）工廠，在製作 IC 的過程需要 在清潔室（Clean room）的環境下操作？（10 分）
⑵請說明隨著 IC 製程技術的進步，清潔室環境的品質需求有何改變？（10 分）
二、一般以雙極性接面電晶體（Bipolar junction transistor）技術製作之 IC，常包含一矽 磊晶製程以形成埋藏層（Buried layer），此製程可改善雙極性接面電晶體的工作特 性，請說明此製程及其如何改善雙極性接面電晶體的工作特性。（20 分）
三、有兩個 P-N 接面二極體，假設其接面雜質分佈皆為陡接面（Abrupt junction），因 此 也 假 設 其 分 級 係 數 （ Grading coefficient ） m=1/2 ， 其 中 P 型 區 之 雜 質 濃 度 NA=1×1016 cm-3，N 型區之雜質濃度 ND=5×1015 cm-3，另外這兩個 P-N 接面二極體 接面之截面積分別為 0.1 mm2 及 0.2 mm2，將兩個二極體 P 型端接 P 型端，N 型端 接 N 型端，形成並聯連接，並將並聯之二極體加一反向偏壓 3 V，在 T=300 °K 下， 試求此並聯二極體之等效電容為多少法拉（Farad，簡稱為 F）？（20 分）
四、在 IC 奈米化過程中，有許多新的製程技術被引用，其中高介電係數（High K）材 料製程也是被引用技術之一，請詳細說明 High K 材料技術在 IC 奈米化過程可協助 解決甚麼困難？（20 分）
五、請說明矽材料於絕緣體上（Silicon on insulator，簡稱 SOI）之 IC 製作技術，同時說 明其對 IC 元件之效益。（20 分）