申論題 - 阿摩線上測驗

申論題資訊

試卷：102年 - 102 公務升官等考試_簡任_電子工程：積體電路技術研究#43806
科目：積體電路技術
年份：102年
排序：0

二、討論 N 型 Si 基板與金屬的 Heterojunction 接面，因為製程上有什麼差異，因此而會形成肖基二極體（Schottky Barrier Diode）或歐姆接觸（Ohmic Contact）兩種不同的元件行為。（20 分）