五、說明短通道效應對於金屬氧化物半導體場效應電晶體的⑴導通電流（）；⑵截止電流（）；⑶臨界電壓（）；⑷次臨界擺幅（SS）；以及⑸汲極導致位障下降（DIBL）之影響。

四、雙極性接面電晶體（BJT）依據集極–基極接面（當成 x 軸）與射極–基極接面（當成 y 軸）的電壓極性，可以分為四種操作模式，分別是⑴飽和（Saturation）、⑵順向主動（Active）、⑶截止（Cutoff）、以及⑷反轉主動（Inverted）模式。以 pnp 雙極性接面電晶體為例，在 x–y 平面上，以四種象限，寫出上述四種操作模式下的接面極性，畫出基極區少數載子分布圖，並說明之。