所屬科目:電子元件
(一)求該半導體之電導率(conductivity)σ1 =?
(二)若減少摻雜為不變,其電導率變為σ2,求比例σ1/σ2 =?
(一)當電子電洞濃度因外在因素被移除,使得 n p ≪ ni2 成立,此時該 trap 是扮演淨產生或是淨復合為主的變動角色?若少數載子之該機制相 關壽命為,則在該機制下之淨變動速率為何?
(二)當加上反偏壓使得空乏區內最大電場達 3 ✕ 105 V/cm 時,二極體出現累 增崩潰(avalanche breakdown),求崩潰電壓 VB 值約為多少?
(一)請說明如何由 C’的量測與分析求得內建電位障(built-in potential barrier) 與 n-型矽的摻雜濃度 ?
(二) a 與 b 兩元件在固定順偏壓下的蕭基位障高度(Schottky barrier height) 分別為= 0.5 V 與 = 0.6 V,假設其他參數均相同,1 kT/q = 0.0259 V, 兩元件的電流比例=?
(一)求元件之平能帶電壓(flat-band voltage) =?
(二)當偏壓至半導體表面呈現強反轉(strong inversion)時,元件進入臨限 區(threshold region),元件偏壓為 (threshold voltage),令氧化 層電容值為,在上述 下的元件整體高頻電容值為 C(),求 電容值比例=?