所屬科目：電子元件
(一)求該半導體之電導率（conductivity）σ1 =？
(二)若減少摻雜為不變，其電導率變為σ2，求比例σ1/σ2 =？
(一)當電子電洞濃度因外在因素被移除，使得 n p ≪ ni2 成立，此時該 trap 是扮演淨產生或是淨復合為主的變動角色？若少數載子之該機制相 關壽命為，則在該機制下之淨變動速率為何？
(二)當加上反偏壓使得空乏區內最大電場達 3 ✕ 105 V/cm 時，二極體出現累 增崩潰（avalanche breakdown），求崩潰電壓 VB 值約為多少？
(一)請說明如何由 C’的量測與分析求得內建電位障（built-in potential barrier） 與 n-型矽的摻雜濃度 ？
(二) a 與 b 兩元件在固定順偏壓下的蕭基位障高度（Schottky barrier height） 分別為= 0.5 V 與 = 0.6 V，假設其他參數均相同，1 kT/q = 0.0259 V， 兩元件的電流比例=？
(一)求元件之平能帶電壓（flat-band voltage） =？
(二)當偏壓至半導體表面呈現強反轉（strong inversion）時，元件進入臨限 區（threshold region），元件偏壓為 （threshold voltage），令氧化 層電容值為，在上述 下的元件整體高頻電容值為 C()，求 電容值比例=？
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不變，其電導率變為σ2，求比例σ1/σ2 =？ 
，則在該機制下之淨變動速率為何？
與 n-型矽的摻雜濃度 
？
= 0.5 V 與
= 0.6 V，假設其他參數均相同，1 kT/q = 0.0259 V， 兩元件的電流比例
=？ 
=？
（threshold voltage），令氧化 層電容值為
，在上述
下的元件整體高頻電容值為 C(
)，求 電容值比例
=？