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109年 - 109 高等考試_二級_電子工程:電子元件#91525
科目:
電子元件 |
年份:
109年 |
選擇題數:
0 |
申論題數:
7
試卷資訊
所屬科目:
電子元件
選擇題 (0)
申論題 (7)
一、考慮在半導體中電場對載子傳導的影響。在低電場的狀況下,說明何謂移動率(mobility)?請舉出兩種載子散射機制,並討論其與溫度的關係。 若加大電場,載子的傳導會出現什麼現象?(20分)
(一)請以工作函數(work function) 、電子親和力(affinity) 、費米能階(Fermi 。 level)界定蕭基接面(Schottky contact)與歐姆接面(Ohmic contact)
(二)在達成熱平衡的條件下,分別說明蕭基接面與歐姆接面電荷分布的狀態,並據以推論其電壓電流特性。
三、說明 SRH 復合模型(Shockley-Reed-Hall recombination model)的物理機 制。並說明在一個 PN 接面二極體中,此種復合對電流傳導的影響;分 別就順偏壓、逆偏壓兩種狀態做出說明。(20分)
(一)求取在熱平衡條件下的內建電位(built-in potential)Vbi 表示式。
(二)以空乏近似法(depletion approximation) ,求取熱平衡下的空乏區寬度 (depletion width)W 表示式。
五、考慮一個 npn 雙極性電晶體(bipolar junction transistor),基極的寬度為 W,電子在基極的擴散常數為 D,復合生命期(recombination lifetime) 為 τ。其中電子的擴散長度 L = (Dτ)
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>>W。若電晶體的基射極順偏注入的電子濃度為 n
p
;而基集極為零偏壓。令單位電荷為 q。求集極電流密度與基極電流密度,以及基極的傳導因子(transport factor)表示式。 (20分)