題組內容

三、圖三電路中，VG1 ～VG 4 為適當直流電壓使電晶體工作於飽和區。請回答下列問題： （每小題 10 分，共 20 分）

⑵圖三(b)之 vi 為輸入小信號，NMOS 小信號參數： g mn = 10 mA/V ， ron = 4 kΩ ； PMOS 小信號參數： g mp = 2 mA/V ， rop = 6 kΩ 。利用⑴之結果，計算輸出電阻 Ro 。