題組內容
二、圖二為 MOSFET 元件之立體結構，其中L = 0.4 μm，W = 4 μm，閘氧化層 （gate oxide） 厚6.9 nm 絕緣介電係數 ， （dielectric constant）3 .45 × 10 −11 ( F / m)， 電子遷移率（mobility） 450（cm2 /V．s) ，元件切入電壓 0.7 V。
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