申論題 - 阿摩線上測驗

申論題資訊

試卷：105年 - 105 身心障礙特種考試_四等_電力工程：電子學概要#50160
科目：電子學
年份：105年
排序：0

題組內容

二、圖二為 MOSFET 元件之立體結構，其中L = 0.4 μm，W = 4 μm，閘氧化層（gate oxide）厚6.9 nm 絕緣介電係數，（dielectric constant）3 .45 × 10⁻¹¹ ( F / m)，電子遷移率（mobility） 450（cm² /V．s) ，元件切入電壓 0.7 V。

申論題內容

⑵若 MOSFET 操作在飽和區（saturation）且 I_D = 225 μA，計算閘極-源極電壓 VGS。（5 分）