題組內容

二、圖二為 MOSFET 元件之立體結構，其中L = 0.4 μm，W = 4 μm，閘氧化層 （gate oxide） 厚6.9 nm 絕緣介電係數 ， （dielectric constant）3 .45 × 10 −11 ( F / m)，  電子遷移率（mobility）  450（cm2 /V．s) ，元件切入電壓 0.7 V。

⑶若 MOSFET 的 VDS 很小，操作在三極管（triode）區作為線性電阻，計算閘極-源 極電壓 VGS。 (5分）